Manualul convertoarelor semiconductoare cu tranzistori. Dispozitive semiconductoare - Tranzistoare - Director - Goryunov N.N.

Nume: Dispozitive semiconductoare- Tranzistoare - Director.

Dat parametrii electrici, dimensiunile generale, datele maxime de funcționare și alte caracteristici ale tranzistoarelor interne produse comercial aplicare largă. Pentru o gamă largă de specialiști în electronică, automatizare, inginerie radio și echipamente de măsurare implicate în dezvoltarea, operarea și repararea echipamentelor radio-electronice.

Prefaţă. 11
PARTEA ÎNTÂI. INFORMAȚII GENERALE DESPRE TRANZISTOARELE BIPOLARE ȘI DE CÂMP
Secțiunea unu. Clasificarea bipolare și tranzistoare cu efect de câmp. 12
1.1. Sistem de clasificare și notare. 12
1.2. Clasificarea tranzistorilor după scopul funcțional. 16
1.3. Simboluri grafice convenționale. 16
1.4. Legendă parametrii electrici. 17
1.5. Standarde de bază pentru tranzistoarele bipolare și cu efect de câmp. 23
Secțiunea a doua. Caracteristici ale utilizării tranzistorilor în echipamentele electronice. 26
PARTEA A DOUA. DATE DE REFERINȚĂ ALE TRANZISTORILOR BIPOLARI
Secțiunea a treia. Tranzistoare de joasă putere, de joasă frecvență. 36
Secțiunea a patra. Tranzistoare de înaltă frecvență de putere redusă. 166
Secțiunea cinci. Tranzistoare de ultra-înaltă frecvență de putere redusă. 307
Secțiunea șase. Tranzistoarele sunt puternice de joasă frecvență. 453
Secțiunea a șaptea. Tranzistoare puternice de înaltă frecvență. 569
Secțiunea a opta. Tranzistoare puternice de ultra-înaltă frecvență. 671
Secțiunea nouă. Ansambluri de tranzistori. 770
PARTEA A TREIA. Date de referință ale tranzistorului cu efect de câmp
Secțiunea zece. Tranzistoarele sunt de putere redusă. 812
Secțiunea unsprezece. Tranzistoarele sunt puternice. 870
Secțiunea a douăsprezecea. Tranzistoare duble. 891
Indicele alfanumeric al tranzistorilor inclus în cartea de referință.

CARACTERISTICI ALE UTILIZĂRII TRANZISTORILOR ÎN ECHIPAMENTELE RADIO ELECTRONICE.

Toate avantajele dispozitivelor semiconductoare, care fac posibilă crearea de echipamente extrem de economice, de dimensiuni mici și fiabile, pot fi minimizate dacă caracteristicile lor specifice nu sunt luate în considerare în timpul dezvoltării, fabricării și exploatării sale.

Fiabilitatea ridicată a echipamentelor electronice poate fi asigurată numai luând în considerare factori precum răspândirea parametrilor tranzistorului, instabilitatea temperaturii și dependența parametrilor acestora de modul de funcționare, precum și modificările parametrilor tranzistorului în timpul funcționării echipamentelor electronice.

Tranzistoarele enumerate în cartea de referință sunt tranzistoare de uz general. Ei își mențin parametrii în limitele stabilite în condiții de funcționare și depozitare tipice pentru diferite tipuri și clase de echipamente.

Descărcare gratuită e-carteîntr-un format convenabil, urmăriți și citiți:
Descarcă cartea Dispozitive semiconductoare - Tranzistoare - Referință - Goryunov N.N. - fileskachat.com, descărcare rapidă și gratuită.

• Goryunov N.N... Manual de diode semiconductoare, tranzistoare și circuite integrate. [Djv-14.5M ] Director. Ediția a IV-a, revizuită și extinsă. Autori: Nikolai Nikolaevich Goryunov, Arkady Yurievich Kleiman, Nikolai Nikitovici Komkov, Yanina Alekseevna Tolkacheva, Nikolai Fedorovich Terekhin. Sub redacția generală a N.N. Goryunova. Legătură de către artistul A.A. Ivanova.
  (Moscova: Editura „Energia”, 1977)
  Scanare, procesare, format Djv: PGP-vimpel.63, 2018
  • REZUMAT:
    Prefață (13).
    PARTEA ÎNTÂI. CLASIFICARE ȘI SISTEM DE DENUMIRE PENTRU DISPOZITIVE SEMICONDUCTORE ȘI CIRCUITE INTEGRATE
    Secțiunea unu. Sistem de clasificare și desemnare a dispozitivelor semiconductoare (14).
    Secțiunea a doua. Sistem de clasificare și desemnare circuite integrate (23).
    PARTEA A DOUA. DATE DE REFERINȚĂ ALE DIODELOR SEMICONDUCTORE
    Secțiunea a treia. Diode, stâlpi și blocuri redresoare (35).
    Secțiunea a patra. Diode de înaltă frecvență (71).
    Secțiunea cinci. Diode cu impulsuri (86).
    Secțiunea șase. Matrici și ansambluri de diode (115).
    Secțiunea a șaptea. Diode Zener (139).
    Secțiunea a opta. Varicaps (172).
    Secțiunea nouă. Tunel și diode inversă (187).
    Secțiunea zece. LED-uri (201).
    Secțiunea unsprezece. Tiristoare (215).
    Secțiunea a douăsprezecea. Diode cu microunde (228).
    PARTEA A TREIA. DATE DE REFERINȚĂ A TRANZISTORULUI
    Secțiunea a treisprezecea. Tranzistoare de joasă putere și frecvență joasă (236).
    Secțiunea a paisprezecea. Tranzistoare de frecvență medie de putere mică (256).
    Secțiunea cincisprezece. Tranzistoare de înaltă frecvență de putere mică (260).
    Secțiunea șaisprezece. Tranzistoare de frecvență ultra-înaltă de mică putere (304).
    Secțiunea șaptesprezece. Tranzistoare de putere medie, frecvență joasă și frecvență medie (327).
    Secțiunea optsprezece. Tranzistoare de înaltă și ultra-înaltă frecvență de putere medie (338).
    Secțiunea nouăsprezece. Tranzistoare de joasă frecvență de mare putere (363).
    Secțiunea a douăzecea. Tranzistoare cu frecvență medie de mare putere (374).
    Secțiunea douăzeci și unu. Tranzistoare de înaltă frecvență și ultra-înaltă frecvență (387).
    Secțiunea douăzeci și doi. Tranzistoare cu efect de câmp (401).
    PARTEA A PATRA. DATE DE REFERINȚĂ PENTRU CIRCUITURI INTEGRATE
    Secțiunea douăzeci și trei. Chip-uri logice semiconductoare (424).
    Secțiunea douăzeci și patru. Microcircuite cu impulsuri liniare semiconductoare (581).
    Secțiunea douăzeci și cinci. Chip-uri logice hibride (624).
    Secțiunea douăzeci și șase. Microcircuite hibride cu impulsuri liniare (682).
    Cerere (736).
    Index alfanumeric al dispozitivelor incluse în director (742).

Rezumat al editorului: Cartea de referință oferă parametrii electrici, datele maxime de funcționare și alte caracteristici ale produselor domestice în masă diode semiconductoare, tranzistoare, tiristoare și circuite integrate pentru aplicații largi.
Cartea de referință este destinată unei game largi de specialiști în inginerie radio și electronică implicați în dezvoltarea echipamentelor radio-electronice bazate pe dispozitive semiconductoare.

Prefaţă
Legendă

Prima parte. Tranzistoare

Secțiunea I. Informații generale

2. Circuite de comutare, zone și moduri de funcționare ale tranzistorului
3. Caracteristici curent-tensiune joncțiunea р-n(dioda)
4. Caracteristicile unui tranzistor într-un circuit cu bază comună
5. Caracteristicile unui tranzistor într-un circuit emițător comun
6. Parametrii zonei de tăiere
6.1 Curenți inversați * și *
6.2. Prin curent * și curent inițial *
6.3. Tensiuni maxime
7. Opțiuni pentru zona activă
7.1. Parametrii de semnal mici
7.2. Parametri de semnal mari
7.3. Zgomote
7.4. Tensiuni maxime
7.5. Curenți maximi
7.6 Orele de pornire și oprire
8. Parametrii regiunii de saturație
8.1. Timp de întârziere
8.2. Rezistență și tensiune de saturație
8.3. Curent maxim
9. Parametrii termici
9.1. Temperatura maximă de joncțiune
9.2. Rezistenta termica
9.3. Capacitatea termică și constantele de timp termice
10. Puterea maximă disipată de tranzistor
11. Date de operare maxime admise
12. Caracteristici de aplicare
12.1. Stabilizarea temperaturii
12.2. Disiparea căldurii

Secțiunea II. Date de referință
Tranzistoare din aliaj de germaniu tip pnp, puternic de joasă frecvență: P4A, P4B, P4V, P4G, P4D (date generale)
Tranzistoare tip aliaj de germaniu p-n-p de joasă frecvență: P5A, P5B, P5V, P5G, P5D, P5E (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu, tip pnp, frecvență joasă: P6A, P6B, P6V, P6G, P6D (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu * tip de joasă frecvență: P8, P9A, P10, P10A, P10B, P11. P11A (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu de frecvență joasă tip pnp: P13, P13B, P14, P14A, P14B, P15, P15A (date generale)
Tranzistoare tip aliaj de germaniu puls p-n-p: P16, P16L, P16B (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu tip impuls pnp: P20, P21, P21A (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu de frecvență joasă tip pnp: P25, P25A, P25B, P26, P26A, P26B (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu de frecvență joasă tip pnp: P27, P27A, P28 (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu de frecvență joasă tip pnp: P29, P29A, P30 (date generale)
Tranzistoare din aliaj de siliciu de tip n-p-n cu frecvență joasă: P101, P101A, P101B, P102, P103 (date generale)
Tranzistoare din aliaj de siliciu de tip pnp de joasă frecvență: P104, P105, P106 (date generale)
Tranzistoare tip aliaj de germaniu pnp puternic: P201, P201A, P202, P203 (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu, tip pnp, puternice: P209, P209A, P210, P210A (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu de frecvență joasă tip pnp: P211, P212, P212A (date generale)
Tranzistoare de siliciu, tip aliaj pnp de joasă frecvență puternice: P302, P303, P303A, P304 (date generale)
Tranzistoare de difuzie cu germaniu p-n-p de înaltă frecvență: P401, P402, P403, P403A (date generale)
Tranzistoare din aliaj de germaniu, tip pnp, de înaltă frecvență: P12, P12A, P406, P407 (date generale)
Tranzistoare de difuzie cu germaniu, tip pnp, de înaltă frecvență: P410, P410A, P411, P411A (date generale)
Tranzistoare de difuzie cu germaniu, tip pnp, de înaltă frecvență: P414, P414A, P414B, P415, P415A, P415B
Tranzistoare de difuzie cu germaniu pnp tip de înaltă frecvență: P416, P416A, P416B (date generale)
Tranzistoare de difuzie cu siliciu, tip pnp, de înaltă frecvență: P501, P501A, P502, P502A, P502B, P501V, P503, P503A (date generale)
Tranzistoare de conversie cu germaniu de tip pnp, de înaltă frecvență și puternice: P601, P601A, P601B, P602, P602A (date generale)
Tranzistoare de conversie cu germaniu, tip impuls pnp, puternice: P605, P605A, P606, P606A (date generale)

Partea a doua. Diode semiconductoare

Secțiunea I. Informații generale
1. Principii de etichetare și clasificare
2. Caracteristici curent-tensiune
3. Conexiune secvenţială
4. Conexiune în paralel
5. Caracteristici de funcționare

Secțiunea II. Date de referință
Diode cu punct de germaniu D1A, D1B, D1V, L1G, D1D, D1E, D1Zh (date generale)
Diode cu punct de germaniu D2A, D2B, D2V, D2G, D2D, D2E, D2ZH, D2I (date generale)
Diode redresoare din aliaj de germaniu D7A, D7B, D7V, D7G, D7D, D7E, D7Zh (date generale)
Diode cu punct de germaniu D9A, D9B, D9V, D9G, D9D, D9E, D9ZH, D9I, D9K, D9L (date generale)
Diode cu punct de germaniu D10, D10A, D10B (date generale)
Diode cu punct de germaniu D11, D12, D12A, D13, D14, D14A (date generale)
Diode cu punct de germaniu D18 (date generale)
Diode cu punct de siliciu D101, D101A, D102, D103, D103A (date generale)
Diode cu punct de siliciu D104, D104A, D105, D105A, D106, D106A (date generale)
Diode cu punct de siliciu D107, D107A, D108, D109 (date generale)
Diode redresoare din aliaj de siliciu D202, D203, D204, D205 (date generale)
Diode din aliaj de siliciu D206, D207, D208, D209, D210, D211 (date generale)
Diode din aliaj de siliciu D214, D214A, D215, D215A (date generale)
Diode din aliaj de siliciu D219A, D220, D220A, D220B (date generale)
Diode din aliaj de siliciu D221, D222 (date generale)
Diode de siliciu D223, D223A, D223B (date generale)
Diode din aliaj de siliciu D231, D232, D233, D231B, D232B, D233B, D234B, D231A, D232A (date generale)
Diode din aliaj de germaniu D302, D303, D304, D305 (date generale)
Diode zener din aliaj de siliciu D808, D809, D810, D811, D813 (date generale)
Diode din aliaj de germaniu DG-Ts21, DG-Ts22, DG-Ts23, DG-Ts24, DG-Ts25, DG-Ts26, DG-Ts27 (date generale)